|
| MOQ: | 1 টুকরা / টুকরা |
| প্রসবের সময়ের: | 3-6weeks |
| মূল্যপরিশোধ পদ্ধতি: | T T |
| সরবরাহ ক্ষমতা: | 100,000 / বছর |
445nm-50W
| স্পেসিফিকেশন (25℃) | প্রতীক | ইউনিট | K445HR7FN-50.00WN1N-11315 | |||
| সর্বনিম্ন | সাধারণ | সর্বোচ্চ | ||||
|
অপটিক্যাল ডেটা
(1)
|
CW-আউটপুট পাওয়ার | পো | ডব্লিউ | 50 | - | - |
| সাবমডিউলের সংখ্যা |
পিসি |
- | - | 2 | - | |
| সাবমডিউল CW আউটপুট পাওয়ার | পো | ডব্লিউ | - | 25 | - | |
| কেন্দ্র তরঙ্গদৈর্ঘ্য | λc | nm | 445±20 | |||
| বর্ণালী প্রস্থ (FWHM) | △λ | nm | - | 6 | - | |
| তাপমাত্রার সাথে তরঙ্গদৈর্ঘ্যের স্থানান্তর | △λ/△টি | nm/℃ | - | 0.1 | - | |
| বর্তমানের সাথে তরঙ্গদৈর্ঘ্যের স্থানান্তর | △λ/△ ক | nm/A | - | 1 | - | |
|
বৈদ্যুতিক
ডেটা
|
বৈদ্যুতিক থেকে অপটিক্যাল দক্ষতা | পিই | % | - | 30 | - |
| থ্রেশহোল্ড কারেন্ট | আমিম | ক | - | 0.35 | - | |
| অপারেটিং বর্তমান |
আমিবোল | ক | - | 2.5 | 3.5 | |
| অপারেটিং ভোল্টেজ (একক মডিউল) | ভিঅপ | ভি | - | 35 | 40 | |
| ঢাল দক্ষতা (একক মডিউল) | η | W/A | - | 11.5 | - | |
| পাওয়ার সাপ্লাই মোড | - | - | - | 2 মডিউল | - | |
| ফাইবার ডেটা | মূল ব্যাস | ডিমূল | µm | - | 113 | - |
| সংখ্যাসূচক অ্যাপারচার | এন.এ | - | - | 0.15 | - | |
| ফাইবার সমাপ্তি | - | - | - | SMA905 | - | |
| নূন্যতম নমন ব্যাসার্ধ | - | মিমি | 50 | - | - | |
| থার্মিস্টর | - | Rt | (KΩ)/β(25℃) | - | 10±3%/3450 |
- |
| অন্যান্য | ESD | ভিesd | ভি | - | - | 500 |
| সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা | টিসেন্ট | ℃ | -20 | - | 70 | |
| লিড সোল্ডারিং তাপমাত্রা | টিls | ℃ | - | - | 260 | |
| লিড সোল্ডারিং সময় | t | সেকেন্ড | - | - | 10 | |
| অপারেটিং কেস তাপমাত্রা | টিঅপ | ℃ | 15 | - | 30 | |
| আপেক্ষিক আদ্রতা | আরএইচ | % | 15 | - | 75 | |
|
|
| MOQ: | 1 টুকরা / টুকরা |
| প্রসবের সময়ের: | 3-6weeks |
| মূল্যপরিশোধ পদ্ধতি: | T T |
| সরবরাহ ক্ষমতা: | 100,000 / বছর |
445nm-50W
| স্পেসিফিকেশন (25℃) | প্রতীক | ইউনিট | K445HR7FN-50.00WN1N-11315 | |||
| সর্বনিম্ন | সাধারণ | সর্বোচ্চ | ||||
|
অপটিক্যাল ডেটা
(1)
|
CW-আউটপুট পাওয়ার | পো | ডব্লিউ | 50 | - | - |
| সাবমডিউলের সংখ্যা |
পিসি |
- | - | 2 | - | |
| সাবমডিউল CW আউটপুট পাওয়ার | পো | ডব্লিউ | - | 25 | - | |
| কেন্দ্র তরঙ্গদৈর্ঘ্য | λc | nm | 445±20 | |||
| বর্ণালী প্রস্থ (FWHM) | △λ | nm | - | 6 | - | |
| তাপমাত্রার সাথে তরঙ্গদৈর্ঘ্যের স্থানান্তর | △λ/△টি | nm/℃ | - | 0.1 | - | |
| বর্তমানের সাথে তরঙ্গদৈর্ঘ্যের স্থানান্তর | △λ/△ ক | nm/A | - | 1 | - | |
|
বৈদ্যুতিক
ডেটা
|
বৈদ্যুতিক থেকে অপটিক্যাল দক্ষতা | পিই | % | - | 30 | - |
| থ্রেশহোল্ড কারেন্ট | আমিম | ক | - | 0.35 | - | |
| অপারেটিং বর্তমান |
আমিবোল | ক | - | 2.5 | 3.5 | |
| অপারেটিং ভোল্টেজ (একক মডিউল) | ভিঅপ | ভি | - | 35 | 40 | |
| ঢাল দক্ষতা (একক মডিউল) | η | W/A | - | 11.5 | - | |
| পাওয়ার সাপ্লাই মোড | - | - | - | 2 মডিউল | - | |
| ফাইবার ডেটা | মূল ব্যাস | ডিমূল | µm | - | 113 | - |
| সংখ্যাসূচক অ্যাপারচার | এন.এ | - | - | 0.15 | - | |
| ফাইবার সমাপ্তি | - | - | - | SMA905 | - | |
| নূন্যতম নমন ব্যাসার্ধ | - | মিমি | 50 | - | - | |
| থার্মিস্টর | - | Rt | (KΩ)/β(25℃) | - | 10±3%/3450 |
- |
| অন্যান্য | ESD | ভিesd | ভি | - | - | 500 |
| সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা | টিসেন্ট | ℃ | -20 | - | 70 | |
| লিড সোল্ডারিং তাপমাত্রা | টিls | ℃ | - | - | 260 | |
| লিড সোল্ডারিং সময় | t | সেকেন্ড | - | - | 10 | |
| অপারেটিং কেস তাপমাত্রা | টিঅপ | ℃ | 15 | - | 30 | |
| আপেক্ষিক আদ্রতা | আরএইচ | % | 15 | - | 75 | |
